活動介紹 | 高頻應用下化合物半導體發展趨勢與世界變局的探討研討會 | IEK產業情報網

活動介紹

高頻應用下化合物半導體發展趨勢與世界變局的探討研討會

 

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      美中貿易爭戰與地緣政治行為發酵下,造成各國在許多供應鏈環境危機四伏,各種假借國安為由的貿易保護動作激起中國對於關鍵礦業原物料的掌控已到鋪天蓋地的程度,尤其於近年飽受美國在半導體製造的封鎖後,終於挾其本身具有原物料主要供應國的高度優勢,從原料的供應上,正面對各國進行反擊,並且潑及化合物半導體發展進度。化合物半導體材料因為具有寬能隙,高電子遷移率,高功率密度,大穿透電壓或稱崩潰電壓,高導熱係數,高截止頻率等幾個關鍵的物理特性,在近代通訊應用中扮演重要角色,然因俄烏戰爭與以巴衝突風暴的影響,致使通訊產業於民生應用的發展供應失調,基站布建的進展不如預期,產業競合悄然變革。

 

      隨著AI迅速發展,銅纜的傳輸損耗已成為高速運算瓶頸之一,而光透過「光纖」傳輸相對於電透過「銅」傳輸,有著更高頻寬、不受電磁波干擾、傳輸距離遠等優勢,將扮演起未來高頻傳輸的要角,不過矽基半導體並不會發光,所以過去這些光電傳輸裝置得先將「矽半導體電子晶片」和「化合物半導體光學晶片」分別製作再連接組裝,離散式的元件使這類產品體積大、組裝複雜,而矽光子就想透過在矽半導體上整合電子和光學晶片來解決此問題,並提供尺寸微縮、傳輸效率提升等優勢,目前矽光子在AI資料中心800G以上的高速傳輸光收發模組滲透率持續提升,隨技術發展,預期在CPU & GPU的光連接、量子電腦、穿戴裝置的健康監控、自駕車LiDAR也都極具應用潛力。

 

      AI技術與相關應用日新月異,在伺服器運算能力持續提升下,高速運算晶片所需之構裝材料也須同步配合效能提升。構裝材料不僅和整體IC產品的功耗、訊號傳輸速度、訊號傳遞品質正相關,並有著受熱膨脹和翹曲等限制。未來,2.5D/3D高階構裝技術是促使半導體產品持續進化的關鍵項目之一,其搭配使用的高階構裝材料與技術亦是於晶片節點不斷微縮下,不可或缺的重要元素。

 

      本研討會除了探討化合物半導體原料與元件因世界局勢變化的產業競合外,並研析高頻高速下傳輸用的新材料以及高頻高速模組構裝需求下之先進材料技術與市場發展的新趨勢。